BYD не только добилась первых в мире хороших результатов в области новых энергетических автомобилей, но и является одним из немногих отечественных автобрендов, которые могут разрабатывать собственные чипы. Однако в 2022 году план листинга полупроводникового подразделения BYD был внезапно приостановлен, хотя основатель Ван Чуаньфу недавно заявил, что план по поиску листинга остается неизменным.

На совещании по результатам работы 29 марта Ван Чуаньфу сказал, что «план листинга BYD Semiconductor остается неизменным, но в процесс вносятся некоторые коррективы».

Он также упомянул, что рост автомобильного рынка BYD не может поддерживать столь высокие темпы роста каждый год, и я считаю, что по мере возвращения темпов роста к норме доля полупроводникового бизнеса BYD, зависящая от группы, сократится в подходящее время в будущем, и тогда появятся условия для листинга.

Компания BYD Semiconductor, ранее известная как Shenzhen BYD Microelectronics Co., Ltd., была переименована в BYD Semiconductor Co., Ltd. в 2020 году, при этом BYD принадлежит 72,3% акций, и стремится выйти на биржу после получения инвестиций в размере 2,7 млрд юаней в предыдущих двух раундах финансирования.

После того, как Шэньчжэньская фондовая биржа приняла IPO в июне 2021 года, BYD Semiconductor дважды приостанавливала IPO и, наконец, 15 ноября 2022 года внезапно объявила о прекращении выделения и листинга BYD Semiconductor, а также об отзыве документов заявки на листинг, связанных с листингом на GEM.

Еще в 2005 году компания BYD Semiconductor начала разрабатывать собственные чипы для автомобильных силовых модулей, такие как IGBT, а в 2018 году компания BYD Semiconductor выпустила технологию IGBT4.0, имеющую эталонное значение в области автомобильных спецификаций.

Благодаря усовершенствованной конструкции плоской решетки чип IGBT4.0 снижает общие потери примерно на 20% по сравнению с основными продуктами на рынке при тех же условиях работы, а энергопотребление всего транспортного средства значительно снижено.

В 2021 году технология IGBT 5.0 компании BYD Semiconductor на основе Trench FS высокой плотности вышла в массовое производство. В IGBT5.0 (Trecnch FS IGBT) используется микротраншейная структура и технология отключения композитного поля для достижения сверхнизких потерь проводимости и потерь переключения, а благодаря тщательно настроенной технологии отключения композитного поля реализовано плавное отключение.

На внутреннем рынке, Доля BYD на рынке силовых модулей за первые три квартала 2022 года достигла 21,1%, приблизившись к показателю Infineon, занявшему первое место, — 25,7%.